基本半导体第二代SiC碳化硅MOSFET在直流充电桩电源模块中的应用
传统的直流充电桩拓扑电路一般是三相交流380V输入电压经过PFC维也纳 AC/DC电路后，得到直流母线电压，然后经过两路全桥LLC DC/DC电路，输出 200V到1000V高压给新能源汽车充电使用。其中PFC维也纳电路AC/DC的开关频率 40kHz 左右，一般用使用 650V的超结MOSFET或者 650V 的IGBT，劣势是器件多，硬件设计复杂，效率低，失效率高。新一代直流充电桩拓扑电路会把原来的PFC维也纳整流升级为采用第二代SiC碳化硅MOSFET B2M040120Z的三相全桥PFC整流。这样将大大减少功率器件数量，简化控制电路的复杂性，同时通过提高开关频率来降低电感的感量，尺寸和成本。DC/DC全桥LLC部分，升级为采用第二代SiC碳化硅MOSFET B2M040120Z的DC/DC电路，可以从原来的三电平优化为两电平LLC。这样可以极大简化拓扑电路，减少元器件的数量，控制和驱动更加简单。基于第二代SiC碳化硅MOSFET B2M040120Z的高频特性，可以提高LLC电路的开关频率，从而减少磁性器件的尺寸和成本。由于LLC电路是软开关工作模式，损耗集中在开关管的导通损耗上和关断损耗上，第二代SiC碳化硅MOSFET B2M040120Z Eoff相对竞品更小，在高频LLC应用优势明显，由于拓扑结构的原因，流过LLC中SiC碳化硅MOSFET的电流有效值是Si MOSFET电流的一半，所以z终导通损耗大大减小。新一代采用SiC碳化硅MOSFET B2M040120Z的直流充电桩拓扑电路可以提升0.3~0.5%左右的效率。
LLC，移相全桥等应用实现ZVS主要和Coss、关断速度和体二极管压降等参数有关。Coss决定所需谐振电感储能的大小，值越大越难实现ZVS；更快的关断速度可以减少对储能电感能量的消耗，影响体二极管的续流维持时间或者开关两端电压能达到的z低值；因为续流期间的主要损耗为体二极管的导通损耗.在这些参数方面，B2M第二代碳化硅MOSFET跟竞品比，B2M第二代碳化硅MOSFET的Coss更小，需要的死区时间初始电流小；B2M第二代碳化硅MOSFET抗侧向电流触发寄生BJT的能力会强一些。B2M第二代碳化硅MOSFET体二极管的Vf和trr 比竞品有较多优势，能减少LLC里面Q2的硬关断的风险。综合来看，比起竞品，LLC，移相全桥应用中B2M第二代碳化硅MOSFET表现会更好.
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